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韩企展示321层4D闪存样品

科技日报记者 薛严

韩国半导体生产企业SK海力士于当地时间8日在美国加利福尼亚州圣克拉拉举行的韩企世界闪存峰会“FMS 2023”上公布了321层4D闪存开发的进展,并展示了现阶段开发的展示样品。

NAND闪存根据在1个单元中储存多少个信息(比特单位)来区分规格。闪存SLC为1个,样品MLC为2个,韩企TLC为3个,展示QLC为4个,闪存PLC为5个等。样品随着信息存储量的韩企增加,在同一晶圆面积上可储存更多的展示数据。

SK海力士在存储器业界首次公开300层以上NAND的闪存具体开发过程,并表示将在2025年上半年实现量产目标。样品321层1Tb TLC NAND与上一代238层512Gb NAND相比,韩企生产效率提高了59%。展示由于数据存储的闪存单元能以更多的单片数量堆栈至更高,在相同芯片上实现更大存储容量,进而增加了单位晶圆上芯片的产出数量。

SK海力士在峰会上还推出了针对高性能存储需求而进行优化的下一代NAND产品解决方案:采用PCIe 5接口的企业级固态硬盘(eSSD)及UFS 4.0。该企业同时还表示,正在积极开发下一代PCI 6.0和UFS 5.0产品,以适应未来更高的存储和运算需求。

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